دانلود مقالات ISI درباره B3 ترانزیستور دو قطبی + ترجمه فارسی

MOCVD-grown compressively strained C-doped InxGa1−xAs1−ySby with high-In/Sb content for very low turn-on-voltage InP-based DHBTs

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Antimonides; B3. Bipolar transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Impact of strained GaAs spacer between InP emitter and GaAs1−ySby base on structural properties and electrical characteristics of MOCVD-grown InP/GaAs1−ySby/InP DHBTs

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Antimonides; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

The influence of growth conditions on carrier lifetime in 4H-SiC epilayers

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; A1. Atomic force microscopy; A1. Characterization; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Hot-wall epitaxy; B2. Semiconducting materials; B3. Bipolar transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Carbon doping in InGaAsSb films on (001) InP substrate using CBr4 grown by metalorganic chemical vapor deposition

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; A1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Antimonides; B2. Semiconducting quarternary alloys; B3. Bipolar transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth and characterization of NpN heterojunction bipolar transistors with In0.03Ga0.97N and In0.05Ga0.95N bases

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Characterization of MOVPE-grown p-InGaAs/n-InP interfaces

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; 73.20.At; 73.40.Kp; 73.61.EyA1. Characterization; A1. Interface; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Impact of CBr4, V/III ratio, temperature and AsH3 concentration on MOVPE growth of GaAsSb:C

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; 85.30.Pq; 81.15.Kk; 81.05.Ea; 61.72.sd; 68.35.DvA1. Characterization; A1. Doping; A3. Metal-organic vapor-phase epitaxy; B1. Antimonides; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

On-axis homoepitaxial growth on Si-face 4H–SiC substrates

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; 81.10.−h; 61.72.Nn; 61.72.Ff; 81.65.Cf; 81.15.Gh; 81.65.−b; 82.40.−g; 68.37.PsA1. Atomic force microscopy; A1. Etching; A3. Hot wall epitaxy; B2. Semiconducting materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Control of Zn diffusion in InP/InAlGaAs-based heterojunction bipolar transistors and light emitting transistors

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; 68.55.LnA1. Diffusion; A1. Doping; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

High-resolution depth profile of the InGaP-on-GaAs heterointerface by FE-AES and its relationship to device properties

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; 82.33.Ya; 81.05.Ea; 82.80.Pv; 68.35.FxA1. Characterization; A1. Surface processes; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Free-carrier absorption and growth temperature of highly Be-doped InGaAs in molecular beam epitaxy

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 73.40.Kp; 78.30.FsA1. Doping; A1. Free carrier optical absorption; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B3. Bipolar transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy

Keywords: B3 ترانزیستور دو قطبی; 81.15.Hi; 68.55.Ln; 85.30.Pq; 82.80.Ms; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon; B3. Bipolar transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه