کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830318 | 1524507 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
81.15.Hi68.55.Ln82.80.Ms85.30.PqA1. Doping - A1. تغلیظA3. Molecular Beam Epitaxy - A3 اپیتاکسی پرتوهای مولکولیB1. germanium silicon alloys - B1 آلیاژهای سیلیکون ژرمانیومB2. Semiconducting silicon - B2 سیلیکون نیمه رساناB2. Semiconducting germanium - B2 نیمه رسانای ژرمانیومB3. Bipolar transistors - B3 ترانزیستور دو قطبی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
N-p-n Si/SiGe/Si heterostructures have been grown by a disilane (Si2H6) gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy system using phosphine (PH3) and diborane (B2H6) as n- and p-type in situ doping sources, respectively. Adopting an in situ doping control technology, the influence of background B dopant on the growth of n-Si emitter layer was reduced, and an abrupt B dopant distribution from SiGe base to Si emitter layer was obtained. Besides, higher n-type doping in the surface region of emitter to reduce the emitter resist can be realized, and it did not result in the drop of growth rate of Si emitter layer in this technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 273, Issues 3â4, 3 January 2005, Pages 381-385
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 273, Issues 3â4, 3 January 2005, Pages 381-385
نویسندگان
F. Gao, D.D. Huang, J.P. Li, C. Liu,