Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting silicon; A1. Surface processes; A1. Density functional theory calculation; A1. Thermodynamic calculation;
مقالات ISI ترجمه شده B2 سیلیکون نیمه رسانا
مقالات ISI B2 سیلیکون نیمه رسانا (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A2. Czochralski method; A2. Crystal growth from the melt; B2. Semiconducting silicon; A1. Defects;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Growth models; A1. Morphological stability; A1. Surface processes; A1. Surface structure; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A1. Etching; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal morphology; A1. Growth model; A2 Single crystal growth; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Planar defects; A1. Nucleation; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Directional solidification; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Line defects; A1. Stresses; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. Crystal structure; A2. Liquid feeding; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Surface processes; A1. Mass transfer; A1. Diffusion; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nucleation; A1. Planar defects; A1. Twinning; A1. Multi-layer model; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Heat transfer; A2. Floating zone technique; A2. Growth from melt; B1. Elemental solids; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A1. Point defects; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells; A2. Seed crystals;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal morphology; A1. Growth model; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Line defects; A1. Point defects; B2. Semiconducting silicon
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells; Si3N4 crucible
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nucleation; A1. Planar defects; A1. Solidification; B2. Semiconducting silicon
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. Defects; A2. Growth from melt; A2. Industrial crystallization; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nucleation; A1. Solidification; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. Particle capture; A1. Phase field; A1. Computer simulation; B1. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanostructures; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar Cells;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Line defects; A1. Stresses; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Impurities; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon; Low-coherence interferometry; Real-time temperature measurements
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Heat transfer; A1. Crystal morphology; A1. Computer simulation;; A2. Growth from melt; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Impurities; A1. Segregation; A2. Floating zone technique; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Convetion; A1. Directional solidification; A1. Magnetic fields; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Capillarity; A2. Growth from melt; A2. Horizontal ribbon growth; A2. Edge-defined film fed growth; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Hydrodynamics; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Planar defects; A1. Solidification; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; Grain boundaries
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystallization; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Surface structure; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Numerical simulation; A1. Fluid flows; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cell;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. Minority carrier lifetime; A2. Seed crystals; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Growth models; A1. X-ray diffraction; A2. Edge-defined film-fed growth; A2. String ribbon; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Growth models; A1. Planar defects; A1. Grain structure; A1. Numerical modeling; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Line defects; A1. Stresses; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Segregation; A2. Edge defined film fed growth; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Polycrystalline; A1. Solidification; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A2. Growth from melt; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Faceting; A1. Grain and twin boundaries; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Polysilicon films; B2. Semiconducting silicon;
Relationship between carbon concentration and carrier lifetime in CZ-Si crystals
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A2. Czochralski method; A2. Crystal growth from the melt; B2. Semiconducting silicon; A1. Defects;
Do thermal donors reduce the lifetimes of Czochralski-grown silicon crystals?
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A2. Czochralski method; A2. Crystal growth from the melt; B2. Semiconducting silicon; A1. Defects;
3D numerical simulation of free surface shape during the crystal growth of floating zone (FZ) silicon
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A2. Floating zone technique; B2. Semiconducting silicon;
Orientation relationship between β-Si3N4 and Si in multicrystalline silicon ingots for PV applications
Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nucleation; B2. Semiconducting Silicon; A1. Crystal structure; B1. Nitrides; A1. Transmission electron microscopy;