دانلود مقالات ISI درباره B2 سیلیکون نیمه رسانا + ترجمه فارسی

Structure of initial Ge nanoclusters at the edges of Si(1 1 1) steps with the front in the 〈−1 −1 2〉 direction

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Diffusion; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A1. Surface processes; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

The v/G criterion for defect-free silicon single crystal growth from a melt revisited: Implications for large diameter crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A2. Czochralski method; A2. Floating zone technique; A2. Growth from melt; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Defects limitation in epitaxial GaP on bistepped Si surface using UHVCVD-MBE growth cluster

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal structure; A1. Planar defects; A1. X-ray diffraction; A3. Chemical vapor deposition processes; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

3D dynamic simulation of heat transfer and melt flow in an inductively heated crystallization furnace for mc-silicon with PID temperature control

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Numerical simulation; A1. Fluid flows; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cell;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Anisotropic bow and plastic deformation of GaN on silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Substrates stresses; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Determination of silicon oxide precipitate stoichiometry using global and local techniques

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Silicon oxide precipitate stoichiometry; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

The local generation and recombination lifetime based on forward diode characteristics diagnostics

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Activation energy; A1. Characterization; A1. Defect; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Liquid-phase explosive crystallization of electron-beam-evaporated a-Si films induced by flash lamp annealing

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Recrystallization; A1. Stresses; A1. X-ray diffraction; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Heterointegration by molecular beam epitaxy: (In,Ga)As/GaAs quantum wells on GaAs, Ge, Ge/Si and Ge/Si pillars

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nanostructures; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Quantum wells; A3. Superlattices; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Direct stress measurement of Si(111) 7×7 reconstruction

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Stresses; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Relationship between oxygen impurity distribution in multicrystalline solar cell silicon and the use of top and side heaters during manufacture

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Computer simulation; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Thickening of thin laser crystallized silicon films by solid phase epitaxy for photovoltaic applications

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Recrystallization; A3. Solid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characterization of the OSF-band structure in n-type Cz-Si using photoluminescence-imaging and visual inspection

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Crystal structure; A2. Czochralski technique; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Dependence of nickel gettering on crystalline nature in as-grown Czochralski silicon wafer

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A1. Impurities; A1. Point defects; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Effect of crucible coating on the grain control of multi-crystalline silicon crystal growth

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nucleation; A1. Substrates; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Si growth by directional solidification of Si–Sn alloys to produce solar-grade Si

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Purification; A1. Segregation; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of InAs quantum dots on Si-based GaAs nanowires by controlling the surface adatom diffusion

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Si–SiC core–shell nanowires

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. FIB/SEM; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanowire; B1. Silicon carbide; B2. Semiconducting silicon; B3. Core–shell

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Characterizing and modeling the evolution of silicon oxide precipitates during thermal cycles

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Characterization; A1. Defects; A1. Growth models; A1. Point defects; B1. Oxides; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Surface tension of liquid silicon: High or low value?

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Surfaces; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Improved control of silicon nanowire growth by the vapor–liquid–solid method using a diffusion barrier layer between catalyst and substrate

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Diffusion; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Change in the branch period of the step pattern formed by a moving linear source-initial coarsening and effect of an abrupt change in the velocity

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Morphological instability; A1. Surface processes; A3. Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Numerical investigation of the influence of cooling flux on the generation of dislocations in cylindrical mono-like silicon growth

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Growth of Si single bulk crystals with low oxygen concentrations by the noncontact crucible method using silica crucibles without Si3N4 coating

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal structure; A2. Growth from melt; A2. Top-seeded solution growth; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Silicon optical fiber diameter dependent grain size

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal morphology; A2. Silicon fiber fabrication; B2. Semiconducting silicon; B3. Optical fiber devices

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Single crystalline Si substrate growth by lateral diffusion epitaxy

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Kerf-free wafer technique; A2. Growth from melt; A3. Lateral diffusion epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Combined global 2D–local 3D modeling of the industrial Czochralski silicon crystal growth process

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A1. Fluid flow; A1. Mass transfer; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Stability limits for the horizontal ribbon growth of silicon crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Heat transfer; A2. Edge defined film fed growth; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Modeling of incorporation of oxygen and carbon impurities into multicrystalline silicon ingot during one-directional growth

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Experimental characterization of a linear electric molten zone in silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Recrystallization; A2. Floating zone technique; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Float-Zone silicon crystal growth at reduced RF frequencies

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Interfaces; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

A kinetic model of the formation and growth of interstitial dislocation loops in dislocation free silicon single crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A1. Impurities; A1. Point defects; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Transport properties of Sb-doped Si nanowires

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Doping; A3. Chemical vapor deposition; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Dependence of crystal orientation in Al-induced crystallized poly-Si layers on SiO2 insertion layer thickness

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Growth models; A3. Solid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Grain structure of thin-film silicon by zone melting recrystallization on SiC base layer

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A1. Twin boundaries; A1. Electron backscattering diffraction; A3. Zone melting recrystallization; B1. Solar cells; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effects of static magnetic fields on thermal fluctuations in the melt of industrial CZ-Si crystal growth

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Heat transfer; A1. Melt convection; A1. Large-eddy simulation (LES); A2. Single crystal growth; A2. Magnetic field assisted Czochralski method (MCZ); B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth kinetics on silicon facets during low-temperature crystallization from indium solution

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal morphology; A1. Growth models; A1. Nucleation; A3. Liquid phase epitaxy; B1. Indium; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

The effect of the growth rate on the microstructure of multi-crystalline silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. Crystal structure; A1. Defects; A2. Bridgman technique; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

On the role of thermal gradient related stress in intrinsic defect formation during single crystal silicon growth from the melt

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A2. Czochralski method; A2. Floating zone technique; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Reduction of polycrystalline grains region near the crucible wall during seeded growth of monocrystalline silicon in a unidirectional solidification furnace

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth of multicrystalline Si ingots using noncontact crucible method for reduction of stress

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal structure; A2. Growth from melt; A2. Top-seeded solution growth; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Grain growth of silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer Simulation; A1. Directional Solidification; A1. Growth models; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Chemical bulk properties of multicrystalline silicon ingots for solar cells cast in silicon nitride crucibles

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Diffusion; A1. Directional solidification; A1. Doping; A1. Impurities; B1. Silicon nitride; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

InAs nanowire growth on oxide-masked 〈111〉 silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nanostructures; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Selective epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Influence of furnace design on the thermal stress during directional solidification of multicrystalline silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A1. Stresses; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Effective simulation of the effect of a transverse magnetic field (TMF) in Czochralski Silicon growth

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Magnetic fields; A2. Czochralski method; A2. Magnetic field assisted Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

The effect of mass transfer on the temperature gradient of a crystal growing from melt

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A1. Thermal gradient; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Growth of high-quality multicrystalline Si ingots using noncontact crucible method

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal structure; A2. Growth from melt; A2. Top-seeded solution growth; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Grain control in directional solidification of photovoltaic silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A3. Grain Growth; B2. Semiconducting Materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Nonlinear model-based control of the Czochralski process III: Proper choice of manipulated variables and controller parameter scheduling

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Model based feedback control; A1. State observer; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه