کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791751 | 1023620 | 2012 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the role of thermal gradient related stress in intrinsic defect formation during single crystal silicon growth from the melt
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Impact of thermal stress on intrinsic defect formation during crystal growth. ⺠Pulling speed increase leads to thermal gradient decrease at melt/solid interface. ⺠Critical pulling speed is inversely proportional to the crystal radius.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 352, Issue 1, 1 August 2012, Pages 21-26
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 352, Issue 1, 1 August 2012, Pages 21-26
نویسندگان
Jan Vanhellemont,