دانلود مقالات ISI درباره B2 سیلیکون نیمه رسانا + ترجمه فارسی

Improvement of thickness uniformity of bulk silicon wafer by numerically controlled local wet etching

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.65.Cf; 81.65.Ps; 85.30.−zA1. Etching; A1. Substrates; A1. Surface processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Floating cast method to realize high-quality Si bulk multicrystals for solar cells

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.FqA1. Solidification; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Output estimation of Si-based photovoltaic modules with outdoor environment and output map

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Formation of micrometer-order-thick poly-Si films on textured glass substrates by flash lamp annealing of a-Si films prepared by catalytic chemical vapor deposition

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.Jt; 81.40.Ef; 84.60.Jt; A1. Recrystallization; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells; A3. Chemical vapor deposition processes;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Analysis of impurity transport and deposition processes on the furnace elements during Cz silicon growth

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 47.10.ad; 47.11.Df; 82.60.HcA1. Mass transfer; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of crucible rotation on oxygen concentration in the polycrystalline silicon grown by the unidirectional solidification method

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 07.05.Tp; 61.72.sd; 81.10.Fq; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Impurities; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Grain control using spot cooling in multi-crystalline silicon crystal growth

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.72.−y; 81.30.−t; 84.60.JtA1. Directional solidification; A1. Purification; A3. Grain growth; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Enhancement effect of nitrogen co-doping on oxygen precipitation in heavily phosphorus-doped Czochralski silicon during high-temperature annealing

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.72.Tt; 61.72.Cc; 71.55.Cn; A1. Defects; A1. Doping; A1. Impurity; B1. Elemental solids; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

MOCVD growth of GaN on Si(1 1 1) substrates using an ALD-grown Al2O3 interlayer

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.35.Dv; 71.55.Eq; 81.05.Ea; 81.15.Gh; 81.65.MqA3. Metalorganic chemical vapor deposition; B1. Oxides; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Impurity engineering of Czochralski silicon used for ultra large-scaled-integrated circuits

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.72.Tt; 61.72Yx; 61.72Cc; 71.55Cn; A1. Doping; A2. Czochralski method; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Spherical crystallization of Si during free fall in drop-tubes

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nucleation; A1. Undercooling; A2. Spherical crystallization; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Vacancy behavior in Czochralski silicon growth

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.50.Ah; 61.72.Cc; 61.72.jdA1. Computer simulation; A1. Diffusion; A1. Kinetic lattice Monte Carlo; A1. Point defects; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Effect of crucible rotation on oxygen concentration during unidirectional solidification process of multicrystalline silicon for solar cells

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.FqA1. Directional solidification; A1. Impurities; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Dependence of the stored charges and tunneling voltages on the tunneling SiO2 thickness for Si nanoparticles embedded in a SiO2 layer

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 73.40.Gk; 73.50.GrA1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Influence of growth temperature and cooling rate on the growth of Si epitaxial layer by dropping-type liquid phase epitaxy from the pure Si melt

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.15. Lm; 68.55.JkA1. Crystal structure; A3. Liquid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

A novel approach for recycling of kerf loss silicon from cutting slurry waste for solar cell applications

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.30.−t; 61.72.−y; 84.60.JtA1. Directional solidification; A1. Impurities; A1. Purification; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Gas phase nucleation of crystalline silicon and their role in low-temperature deposition of microcrystalline films during hot-wire chemical vapor deposition

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.55.Ac; 81.15.GhA1. Characterization; A1. Crystallites; A1. Nucleation; A3. Chemical vapor deposition; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Sn-filled Si nanotubes fabricated by the facile DC arc discharge method and their photoluminescence property

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.05.C−; 61.82.Fk; 78.67.−n; 78.67.ChA1. Nanostructures; A1. Nucleation; A2. DC arc discharge method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

VLS growth of Si nanocones using Ga and Al catalysts

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.07.−b; 61.46.Km; 81.07.BcA1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processor; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of the electric bias on the deposition behavior of silicon films on glass during hot-wire chemical vapor deposition

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.55.Jk; 81.07.Bc; 81.10.Bk; 81.15.Gh; A1. Characterization; A1. Crystallites; A1. Electric bias; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Growth of epitaxial thin films of scandium nitride on 100-oriented silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.55.Ag; 81.15.Hi; 68.55.Jm; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting silicon; B2. Scandium nitride;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Improvement of luminescence from Si nanocrystals with thermal annealing in CO2

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 78.55.−m; 78.67.Ch; 78.68.+mA1. Nanoclusters; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Large-grained oriented polycrystalline silicon thin films prepared by nickel-silicide-induced crystallization

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.55.A−; 81.10.Jt; 68.55.−aA1. Optical microscopy; A1. Recrystallization; A1. X-ray diffraction; A2. Seed crystals; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Ways to quantitatively detect antiphase disorder in GaP films grown on Si(0 0 1) by transmission electron microscopy

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal structure; A1. Transmission electron microscopy; A1. Defects; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Thermodynamical analysis of oxygen incorporation from a quartz crucible during solidification of multicrystalline silicon for solar cell

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.FqA1. Directional solidification; A1. Impurities; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

III–V epitaxy on Si for photonics applications

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon; B3. Field effect transistors; B3. Light emitting diodes

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effect of electric bias on the deposition behavior of silicon on flexible polyethylene terephthalate (PET) during hot-wire chemical vapor deposition

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.07.Bc; 81.15.Gh; 81.10.Bk; 81.16.Hc; A1. Crystallites; A1. Nanostructures; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Convection-assisted chemical vapor deposition (CoCVD) of silicon on large-area substrates

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.15.KkA1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Fluid flows; A3. Vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Modelling of the transition from a planar faceted front to equiaxed growth: Application to photovoltaic polycrystalline silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.05.Bx; 81.10.Aj; 81.10.Fq; 81.30.Fb; 61.72.Bb; 61.72.Mm; 61.72.UfA1. Defects; A1. Growth model; A1. Nucleation; A1. Dendrites; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effects of crystal rotation rate on the melt–crystal interface of a CZ-Si crystal growth in a transverse magnetic field

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 07.05.Tp; 68.08.−p; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Magnetic fields; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Grown-in defects in silicon produced by agglomeration of vacancies and self-interstitials

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.72.–y; 61.72.Ji; 61.72.Cc; 61.82.FkA1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Nucleation; A1. Point defects; A1. Volume defects; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Defect dynamics in the presence of nitrogen in growing Czochralski silicon crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.Fq; 81.10.Aj; 81.05.Cy; 61.72.Yx; 61.72.Jd; 61.72.Jj; 61.72.Cc; 61.82.FkA1. Defects; A1. Nucleation; A1. Point defects; A1. Microdefects; A1. Impurities; A2. Czhochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

3D computation of oxygen transport in Czochralski crystal growth of silicon considering evaporation

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 47.27.Te; 47.27.Eq; 81.05.Cy; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Large-eddy simulation; A1. Oxygen; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Fabrication of large-scale, layer-deposited, low oxygen-content and uniform silicon nanowires

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.07.−b; 81.05.Cy; 81.16.−cA1. Low-dimensional structure; A1. Nanostructures; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A model of preferential (100) crystal orientation of Si grains grown by aluminium-induced layer-exchange process

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.50.Ah; 61.50.Ks; 61.66.Bi; 64.70.Kb; 64.75.+g; 68.55.Ac; 68.55.Jk; 81.10.Aj; 81.10.Jt; 81.30.MhA1. Crystallographic orientation; A1. Nucleation; A3. Aluminium-induced crystallisation; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Influence of different types of magnetic fields on the interface shape in a 200 mm Si-EMCZ configuration

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.05.Cy; 81.10.Fq; 44.27.+g; 47.11.DfA1. Computer simulation; A1. Fluid flow; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Surface science studies including low-temperature RDS on MOCVD-prepared, As-terminated Si(1 0 0) surfaces

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.14.Hg; 68.37.Ef; 68.43.Fg; 81.15.Gh; 81.05.CyA1. Adsorption; A1. Reflectance difference spectroscopy; A1. Scanning tunnelling microscopy; A3. Metalorganic chemical vapour deposition; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystallographic investigation of homogeneous SiGe single crystals grown by the traveling liquidus-zone method

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.−h; 81.10.FqA1. Mass transfer; A2. Growth from solutions; A2. Single-crystal growth; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

3D dynamic mesh numerical model for multi-crystalline silicon furnaces

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 02.60.Cb; 81.30.Fb; 81.05.GcA1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Solidification; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystal morphology of spherical silicon particles produced by jet-splitting method

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal morphology; A1. Nucleation; A1. Solidification; B2. Containerless processing; B2. Semiconducting silicon; B2. Undercooling

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth of Si/III–V-N/Si structure with two-chamber molecular beam epitaxy system for optoelectronic integrated circuits

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.05.Ea; 81.15.Hi; 61.14.Hg; 85.60.−qA1. Growth models; A3. Migration-enhanced epitaxy; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Nitrides; B2. Semiconducting gallium compounds; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Macroscopic and microscopic charging effects of Si nanocrystals embedded in a SiO2 layer

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 73.40.Qv; 73.63.BdA1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Microstructure characterization of location-controlled Si-islands crystallized by excimer laser in the μ-Czochralski (grain filter) process

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.Fq; 81.05.Cy; 61.72.−y; 61.72.Mm; A1. Crystal structure; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Partly three-dimensional calculation of silicon Czochralski growth with a transverse magnetic field

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.08.−p; 81.10.Dn; 47.27.TeA1. Computer simulation; A1. Magnetic fields; A2. Magnetic field assisted Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Point defect behavior in Si crystal grown by electromagnetic Czochralski (EMCZ) method

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.05.Cy; 81.10.Fq; A1. Crystal-melt interface shape; A1. Electromagnetic force; A1. Point defects; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Temperature homogeneity of polysilicon rods in a Siemens reactor

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 40/44A1. Heat transfer; A1. Magnetic fields; A2. Siemens process; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effect of the crystal–melt interface on the grown-in defects in silicon CZ growth

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.05.Cy; 81.10.FyA1. Convection; A1. Defects; A1. Interface shape; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

A general method for the calculation of segregation profiles in floating zone grown silicon ingots with non-uniform initial distribution of the solute

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.−h; 68.3.DvA1. Doping; A1. Segregation; A2. Floating zone technique; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Large-grained polycrystalline silicon films on glass by argon-assisted ECRCVD epitaxial thickening of seed layers

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.55.−a; 81.05.Cy; 81.15.Gh; A1. Crystal structure; A3. ECR chemical vapour deposition; A3. Low temperature epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Crystal-originated particles in germanium-doped Czochralski silicon crystal

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.72.Tt; 61.72.Cc; 71.55.CnA1. Doping; A1. Germanium; A1. Point defects; A2. Czochralski method; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه