کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1795501 | 1524482 | 2008 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Grown-in defects in silicon produced by agglomeration of vacancies and self-interstitials
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Grown-in microdefects in dislocation-free silicon are distributed in banded patterns that result from a spatial variation in the type and concentration of the incorporated point defects: vacancies (at V/G larger than some critical value) or self-interstitials otherwise (V is the growth rate, G is the axial temperature gradient). The incorporated point defects agglomerate into microdefects upon lowering the temperature; particularly the vacancies are agglomerated into voids. Oxygen in Czochralski crystals plays an important role by assisting the void formation, by producing joint vacancy-oxygen agglomerates (oxide particles) and by trapping vacancies into VO2 species.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issues 7–9, April 2008, Pages 1307–1314
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 310, Issues 7–9, April 2008, Pages 1307–1314
نویسندگان
V.V. Voronkov,