دانلود مقالات ISI درباره B2 سیلیکون نیمه رسانا + ترجمه فارسی

Effect of MACE parameters on length of porous silicon nanowires (PSiNWs)

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Characterization; A1. Etching; A1. Nanostructures; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Characterization of high-quality kerfless epitaxial silicon for solar cells: Defect sources and impact on minority-carrier lifetime

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A3. Epitaxial silicon; A3. Chemical vapor deposition processes; B3. Photovoltaics; A1. Line defects; B2. Semiconducting silicon; A1. Impurities;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Defect formation in Si-crystals grown on large diameter bulk seeds by a modified FZ-method

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A2. Bulk crystal growth; A2. Floating zone technique; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 20 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

In-situ studies of multicrystalline silicon nucleation and growth on α- and β-Si3N4 coated substrates

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; B1. Multicrystalline silicon; A2. In-situ growth; A1. Nucleation; B1. Silicon nitride; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 22 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Optimization of heat transfer during the directional solidification process of 1600 kg silicon feedstock

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 24 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

A first-principle model of 300 mm Czochralski single-crystal Si production process for predicting crystal radius and crystal growth rate

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Growth models; A1. Heat transfer; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; A2. Industrial crystallization; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 24 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Controlled growth of MoS2 nanopetals on the silicon nanowire array using the chemical vapor deposition method

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal morphology; A3. Chemical vapor deposition processes; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 27 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Antimony segregation and n-type doping in Si/Si(111) films grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Impurities; A1. Segregation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Increase in silicon film deposition rate in a SiHCl3-SiHx-H2 system

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Surface processes; A1. Adsorption; A1. Desorption; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Solution growth of Si on reorganized porous Si foils and on glass substrates

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; Substrates; A3. Liquid phase epitaxy; Physical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Study on the usage of a commercial software (Comsol-Multiphysics®) for dislocation multiplication model

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Line defects; A1. Directional solidification; A1. Stresses; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Oxygen precipitation behavior in heavily arsenic doped silicon crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon; A1. Characterization; A1. Volume defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Crystallization kinetics in Si-1 at%Sn during rapid solidification in undercooled melt

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Dendrites; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; Growth mode; Nucleation; Solidification;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

3D modeling of doping from the atmosphere in floating zone silicon crystal growth

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Convection; A1. Doping; A1. Surface processes; A2. Floating zone technique; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nucleation; A3. Molecular beam epitaxy; A1. Surface processes; A1. Morphological stability; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

{1 1 1} facet growth laws and grain competition during silicon crystallization

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. Characterization; A1. Growth laws; A1. {1 1 1} facets; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Characterization of the loss of the dislocation-free growth during Czochralski silicon pulling

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon; A1. Dislocations; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 15 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Thermal history effect on the nucleation of oxygen precipitates in germanium doped Cz-silicon studied by high-energy X-ray diffraction

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Doping; A1. X-ray diffraction; A1. Defects; A1. Impurity; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 17 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Precipitation of Cu and Ni in n- and p-type Czochralski-grown silicon characterized by photoluminescence imaging

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Characterisation; A1. Photoluminescence imaging; A1. Metal precipitates; A1. Point defects; A1. Doping; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 19 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Growth undercooling in multi-crystalline pure silicon and in silicon containing light impurities (C and O)

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. Characterization; A1. Growth laws; A1. Impurities; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 25 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Effect of process parameters and crystal orientation on 3D anisotropic stress during CZ and FZ growth of silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Stresses; A2. Czochralski method; A2. Floating zone technique; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 25 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Capillary stability of vapor-liquid-solid crystallization processes and their comparison to Czochralski and Stepanov growth methods

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nanostructures; A1. Growth models; B1. Nanowires; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting materials; B2. Semiconducting silicon; B2. Semiconducting III-V materials;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 28 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Features of SOI substrates heating in MBE growth process obtained by low-coherence tandem interferometry

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon; A1. Low-coherence interferometry; A1. Real-time temperature measurements; A1. Heat transfer;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

III–V site-controlled quantum dots on Si patterned by nanoimprint lithography

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nanostructures; A1. Characterization; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting III–V materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Lifetime improvement of photovoltaic silicon crystals grown by Czochralski technique using “liquinert” quartz crucibles

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A2. Czocharlski method; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Surfaces and interfaces governing the OMVPE growth of APD-free GaP on AsH3-cleaned vicinal Si(100)

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nucleation; A1. Surface structure; A3. Organometallic vapor phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B2. Semiconducting III-V materials; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effects of tilt angle of mirror–lamp system on shape of solid–liquid interface of silicon melt during floating zone growth using infrared convergent heating

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Heat transfer; A1. Interface; A2. Floating zone technique; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

A simplified reaction model and numerical analysis for Si deposition from the SiHCl3-H2 system in vertical rotating disk reactors

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Fluid flows; A1. Growth models; A1. Heat transfer; A1. Mass transfer; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Scale up aspects of directional solidification and Czochralski silicon growth processes in traveling magnetic fields

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Magnetic fields; A1. Directional solidification; A1. Stirring; B2. Semiconducting silicon; A2. Magnetic field assisted Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Temperature-controlled coalescence during the growth of Ge crystals on deeply patterned Si substrates

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Growth models; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Synchrotron X-ray diffraction topography study of bonding-induced strain in silicon-on-insulator wafers

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. X-ray topography; A1. X-ray diffraction; A1. Interfaces; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 23 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Effects of cluster size on calculation of activation energies of silicon surface reactions with H2 and HCl

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Growth models; A1. Computer simulation; A1. Surface processes; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Theoretical and experimental study of highly textured GaAs on silicon using a graphene buffer layer

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A3. Thin film; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting gallium arsenide; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

In-situ observation of the growth of individual silicon wires in the zinc reduction reaction of SiCl4

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A2. Growth of high temperature solutions; A2. Growth from vapor; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

On the impact of twinning on the formation of the grain structure of multi-crystalline silicon for photovoltaic applications during directional solidification

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. X-ray topography; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon; Electron Backscattered Diffraction; Grain competition;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Nonlinear state estimation for the Czochralski process based on the weighing signal using an extended Kalman filter

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Model-based feedback control; A1. Extended Kalman filter; A1. Nonlinear state estimation; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

An effective nucleation rate for oxide precipitation in Czochralski silicon and a simple framework for multi-step anneal calculations

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A1. Nucleation; A1. Solid solutions; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Czochralski growth of heavily indium-doped Si crystals and co-doping effects of group-IV elements

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Doping; A1. Segregation; A1. Impurities; A1. Solubility; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Unique surface structure formations on a Ge-covered Si(110)-16×2 surface

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Nanostructures; A1. Surface structure; A1. Scanning tunneling microscopy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Czochralski growth of heavily tin-doped Si crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Doping; A1. Segregation; A1. Impurities; A1. Solubility; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Minority-carrier lifetime and defect content of n-type silicon grown by the noncontact crucible method

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A1. Impurities; A2. Top-seeded solution growth; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Effect of electromagnetic stirring on the enrichment of primary silicon from Al–Si melt

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Directional solidification; A1. Magnetic fields; A1. Purification; A1. Stirring; B1. Alloys; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

System design and hot zone optimization of monocrystalline silicon directional solidification furnace for PV application

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Directional solidification; A1. Flow pattern; A1. Interfaces; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Combined 3D and 2.5D modeling of the floating zone process with Comsol Multiphysics

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; A2. Floating zone technique; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Thermal stress induced dislocation distribution in directional solidification of Si for PV application

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. directional solidification; A1. thermal stress; A1. dislocations; A1. residual strain; B2. semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Structural trends in Si dots formation on SiC surfaces using CVD environment

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal structure; A1. Nanostructure; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B2. Semiconducting silicon compounds;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Diffusion suppression in vapor-liquid-solid Si nanowire growth by a barrier layer between the Au catalyst and substrate

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Diffusion; A1. Nanostructures; A1. Eutectics; A1. Growth mechanism; B1. Nanomaterials; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Structural characteristics of gallium metal deposited on Si (0 0 1) by MOCVD

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A3. Metal organic chemical vapour deposition; B2. Metallic gallium; B2. Semiconducting silicon; A1. Transmission electron microscopy; A1. Melt-back etching; A1. Kinetic Monte Carlo;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Formation process of Si3N4 particles on surface of Si ingots grown using silica crucibles with Si3N4 coating by noncontact crucible method

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Crystal structure; A1. Defects; A2. Growth from melt; B1. Nitrides; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells; Natural crystal growth; Seed growth

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Large eddy simulation of industrial Czochralski Si crystal growth under transverse magnetic field

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Computer simulation; A1. Heat transfer; B2. Semiconducting silicon; A2. Magnetic field assisted Czochralski method

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه