کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5489708 | 1524372 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
3D modeling of doping from the atmosphere in floating zone silicon crystal growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: 3D modeling of doping from the atmosphere in floating zone silicon crystal growth 3D modeling of doping from the atmosphere in floating zone silicon crystal growth](/preview/png/5489708.png)
چکیده انگلیسی
Three-dimensional numerical simulations of the inert gas flow, melt flow and dopant transport in both phases are carried out for silicon single crystal growth using the floating zone method. The mathematical model allows to predict the cooling heat flux density at silicon surfaces and realistically describes the dopant transport in case of doping from the atmosphere. A very good agreement with experiment is obtained for the radial resistivity variation profiles by taking into account the temperature dependence of chemical reaction processes at the free surface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 457, 1 January 2017, Pages 65-71
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 457, 1 January 2017, Pages 65-71
نویسندگان
A. Sabanskis, K. Surovovs, J. Virbulis,