دانلود مقالات ISI درباره B2 سیلیکون نیمه رسانا + ترجمه فارسی

Convective phenomena in large melts including magnetic fields

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 47.27.--i; 47.27.Te; 47.65.--d; 47.85.L--; 81.05.CyA1. Computer simulation; A1. Fluid flows; A1. Stirring; A2. Magnetic field assisted Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Hydrogen-induced dopant neutralisation in p-type AIC poly-Si seed layers functioning as buried emitters in ALICE thin-film solar cells on glass

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.15.−z; 81.15.Np; 68.55.−a; 85.60.Dw; 73.50.Pz; A1. Crystal structure; A3. Aluminium-induced crystallisation; A3. Polycrystalline deposition; A3. Solid-phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Surface and interfacial structure of epitaxial SrTiO3 thin films on (0 0 1) Si grown by molecular beam epitaxy

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.03.Cd; 68.37.Lp; 68.55.Jk; 81.15.HiA1. Interfaces; A1. Surface structure; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Oxide thin film; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Growth kinetics and crystallographic properties of polysilicon thin films formed by aluminium-induced crystallization

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.Jt; 68.55.Jk; 61.72.MmA1. Crystal structure; A1. Defects; A3. Solid-phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Defect dynamics in the presence of oxygen in growing Czochralski silicon crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.Fq; 81.10.Aj; 81.05.Hd; A1. Defects; A1. Microdefects; A1. Nucleation; A1. Point defects; A2. Czhochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Quality evaluation of resistivity-controlled silicon crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 64.75; 61.72.T; A1. Characterization; A1. Doping; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Direct bonding of two crystal substrates at room temperature by Ar-beam surface activation

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.35.Np; 79.20.Rf; 82.45.JnA1. Bonding; A1. Surface processes; B1. Sapphire; B2. Piezoelectric materials; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Progress with polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass at UNSW

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.55.−Jk; 68.55.Ln; 81.05.Cy; 81.10.Bk; 81.15.Hi; 81.15.Jj; 84.60.Jt; 85.30.KkA1. Crystal structure; A3. Physical vapour deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Ab initio study of silicon in GW approximation: A direct band gap semiconductor

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 71.20.Nr; 71.15.Hx; 71.15.Mb; 71.15.Nc; B1. Elemental solids; B2. Semiconducting silicon; GGA; GW approximation; Electronic structure; Band gap;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Extended defects in Si films epitaxially grown by low-temperature ECRCVD

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.72.Ff; 61.72.Nn; 68.37.Lp; 81.15.Gh; 81.05.Cy; A1. Crystal structure; A1. Extended defects; A3. Low-temperature epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A simple model explaining the preferential (1 0 0) orientation of silicon thin films made by aluminum-induced layer exchange

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.50.Ah; 61.50.Ks; 61.66.Bi; 64.70.Kb; 64.75.+g; 68.55.Ac; 68.55.Jk; 81.10.Aj; 81.10.Jt; 81.30.MhA1. Crystallographic orientation; A1. Nucleation; A3. Aluminum-induced crystallization; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Laser crystallization — a way to produce crystalline silicon films on glass or on polymer substrates

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.Fq; 81.05.CyA1. Solidification; A3. Laser epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Surface tension and self-diffusion coefficient of liquid Si and Ge

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.03.Cd; 66.10.Cb; 72.80.PhA1. Diffusion; A1. Surface tension; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Boron segregation control in silicon crystal ingots grown in Czochralski process

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.05.Cy; 81.10.Fq; A1. Distribution coefficient; A1. Dopant concentration; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Large modification of crystal–melt interface shape during Si crystal growth by using electromagnetic Czochralski method (EMCZ)

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.05.Cy; 81.10.FqA1. Computer simulation; A1. Fluid flow; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Structural change in silicon from undercooled liquid state to crystalline state during crystallization

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.10.Nz; 61.20.−p; 81.10.Fq; 81.05.CyA1. Nucleation; A1. X-ray diffraction; A3. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of carbon doping on oxygen precipitation behavior in internal gettering processing for Czochralski silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.72.Tt; 61.72.Yx; 61.72.Cc; 71.55.CnA1. Carbon; A1. Doping; A1. Oxygen; A2. Czochralski method; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Micro-defects in Ge doped Czochralski grown Si crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.72.Tt; 61.72.Cc; 71.55.CnA1. Doping; A1. Germanium; A1. Point defects; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Asymmetric distributions of grown-in microdefects in Czochralski silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.05; 81.10; 61.72; 47.27A1. Diffusion; A1. Fluid flows; A1. Point defects; A2. Crystal growth; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

High-throughput zone-melting recrystallization for crystalline silicon thin-film solar cells

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.Fq; 68.55.Ln; 81.05.Cy; 84.60.JtA1. Recrystallization; A1. Volume defects; B1. Elemental solids; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cellsCP133, Chemical polish etch consisting of H2O, HF, HNO3, CH3COOH; CSiTF, Crystalline silicon thin film; CVD,

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The effects of several growth parameters on the formation behavior of point defects in Czochralski-grown silicon crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.05; 81.10; 61.72; 47.27; A1. Convection; A1. Heat transfer; A1. Magnetic fields; A1. Point defects; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Transition metals in photovoltaic-grade ingot-cast multicrystalline silicon: Assessing the role of impurities in silicon nitride crucible lining material

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 78.70; 61.72; 84.60A1. Defects; A1. Impurities; A2. Directional solidification; B1. Nitrides; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Germanium effect on as-grown oxygen precipitation in Czochralski silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.72.Tt; 61.72.Cc; 71.55CnA1. Doping; A1. Germanium; A1. Point defects; A2. Czochralski method; A2. Single crystal growth; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

The effects of AlN buffer on the properties of InN epitaxial films grown on Si(1 1 1) by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.15.Hi; 81.05.Ea; 68.35.Ct; 78.55.−mA1. Characterization; A1. Substrates; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting indium nitride; B2. Semiconducting silicon

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Oxygen concentration in the Czochralski-grown crystals with cusp-magnetic field

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Magnetic field; A1. Oxygen concentration; A2. Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

First-principles study on crystal and electronic structures of stacking-fault tetrahedra in epitaxialized Si films

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 73.21.−b; 73.22.−f; 73.40.−c; 71.55.−i; 61.72.−y; A1. Defects; A1. Line defects; A3. Chloride vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Resistivity distribution of silicon single crystals using codoping

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 64.75; 61.72.T; A1. Doping; A1. Segregation; A2. Czochralski method; A2. Growth from melt; A2. Single-crystal growth; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

In situ doping control for growth of n-p-n Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.15.Hi; 68.55.Ln; 85.30.Pq; 82.80.Ms; A1. Doping; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Germanium silicon alloys; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon; B3. Bipolar transistors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Structure, stability and photoelectronic properties of transition films from amorphous to microcrystalline silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 36.40.Ei; 81.15.Gh; 81.07.−b; 81.30.−t; A1. Nanostructures; A2. Growth from vapor; A3. Chemical vapor deposition processes; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of Mn-implanted n-Si by low-energy ion beam deposition

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.05.Ea; 81.05.Zx; 81.15.Hi; 82.80.Pv; A1. Auger electron spectroscopy; A1. X-ray diffraction; A3. Low-energy ion beam deposition; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of multicrystalline Si with controlled grain boundary configuration by the floating zone technique

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10; 61.72.M; 84.60.J; A2. Floating zone technique; A2. Seed crystals; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth of Ge quantum dot mediated by boron on Ge wetting layer

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.55.−a; 61.16.Ch; 81.15.Ef; A1. Nanostructures; A1. Nucleation; A3. Chemical vapour deposition process; B2. Semiconducting germanium; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

From Si nanotubes to nanowires: Synthesis, characterization, and self-assembly

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.46.+w; 62.25.+g; 81.07.−b; A2. Electrochemical growth; A1. Nanostructures; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Drift-induced step instabilities due to the gap in the diffusion coefficient

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.Aj; 05.70.Ln; 47.20.Hw; 68.35.Fx; A1. Computer simulation; A1. Morphological stability; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Resistivity distribution in bulk growth of silicon single crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 64.75; 61.72.T; 02.70.D; 02.60; A1. Computer simulation; A1. Doping; A1. Segregation; A2. Bridgman technique; A2. Growth from melt; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth characteristics of ultra-thin epitaxial CaxMg1−xF2 alloys on Si(1 1 1) substrates

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.15.Hi; 61.66.Dk; 68.55.Jk; A1. Crystal structure; A1. Reflection high-energy electron diffraction; A3. Molecular beam epitaxy; B1. Alloys; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Light emission from as-prepared and oxidized Si nanowires with diameters of 5-15 nm

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.82.Rx; 78.67.−n; 81.07.Bc; 81.15.Lm; A1. Nanostructures; A3. Vapor-liquid-solid; B1. Nanowires; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Molecular dynamics study of homogeneous crystal nucleation in amorphous silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 82.60.Nh; 02.70.Ns; 61.43.Dq; 82.65.Dp; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Molecular dynamics; A1. Nucleation; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Ultra-low-temperature homoepitaxial growth of Sb-doped silicon

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.05.Cy; 81.10.Bk; 81.15.Hi; 85.60.Gz; A1. Delta doping; A1. Surfaces; A1. Surface segregation; A3. Molecular beam epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Surface roughness scaling of microcrystalline silicon films by hot-wire chemical vapor deposition

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.55.−a; 81.15.Gh; 82.20.Mj; A1. Atomic force microscopy; A1. Roughening; A3. Chemical vapor deposition process; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Study on epitaxial silicon thin film solar cells on low cost silicon ribbon substrates

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 72.40.+w; 73.61.Cw; 81.10.Fq; 81.15.Gh; 84.60.Jt; A1. Substrates; A3. Vapor-phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Epitaxial thickening of AIC poly-Si seed layers on glass by solid phase epitaxy

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.15.−z; 81.15.Np; 68.55.−a; 85.60.Dw; 73.50.Pz; A1. Crystal structure; A3. Aluminium-induced crystallisation; A3. Polycrystalline deposition; A3. Solid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Modeling of industrial bulk crystal growth-state of the art and challenges

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.−h; 02.60.Cb; 02.60.Pn; 47.65.+a; A1. Computer simulation; A1. Magnetic fields; A2. Growth from melt; B1. Alloys; B2. Semiconducting III-V materials; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

An analysis of temperature distribution near the melt-crystal interface in silicon Czochralski growth with a transverse magnetic field

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 68.08.−p; 81.10.Dn; 47.27.Te; A1. Computer simulation; A1. Interfaces; A1. Magnetic fields; A2. Magnetic field assisted Czochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The effect of nitrogen on void formation in Czochralski silicon crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.72.−y; 61.72.Ji; 61.72.Cc; 61.82.Fk; A1. Computer simulation; A1. Impurities; A1. Nucleation; A1. Point defects; A1. Volume defects; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Modelling of flash-lamp-induced crystallization of amorphous silicon thin films on glass

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 81.10.−h; 81.05.Gc; A1. Growth models; A1. Heat transfer; A1. Recrystallization; A3. Liquid phase epitaxy; A3. Solid phase epitaxy; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Optimisation of low-temperature silicon epitaxy on seeded glass substrates by ion-assisted deposition

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; 61.16.Bg; 61.82.Fk; 68.55.−JK; 68.55.Ln; 81.05.Cy; 81.10.Bk; 81.15.Hi; 81.15.Jj; 85.30.Kk; 84.60.Jt; A1. Crystal structure; A1. Impurities; A3. Molecular beam epitaxy; A3. Physical vapour deposition processes; B2. Semiconducting silicon; B3. Solar cells

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The agglomeration dynamics of self-interstitials in growing Czochralski silicon crystals

Keywords: B2 سیلیکون نیمه رسانا; A1. Defects; A1. Nucleation; A1. Point defects; A1. Microdefects; A2. Czhochralski method; B2. Semiconducting silicon;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 16 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه