کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9830322 | 1524507 | 2005 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of nitrogen on void formation in Czochralski silicon crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The effect of nitrogen on void formation in Czochralski silicon crystals The effect of nitrogen on void formation in Czochralski silicon crystals](/preview/png/9830322.png)
چکیده انگلیسی
A model of void formation in Si crystals, from a supersaturated vacancy solution in the presence of nitrogen and oxygen, is developed. At the void formation stage, nitrogen is represented mostly by dimeric species, but the major vacancy traps are nitrogen single interstitials. The trapping is remarkably strong, and yet the voids are easily produced-at a lower temperature and in increased density. These results are in a quantitative agreement with the reported data. A role of the oxygen impurity is to reduce the void surface energy, and also to enhance the pairing/dissociation rate of nitrogen.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 273, Issues 3â4, 3 January 2005, Pages 412-423
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 273, Issues 3â4, 3 January 2005, Pages 412-423
نویسندگان
V.V. Voronkov, R. Falster,