کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1797413 | 1023789 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A simple model explaining the preferential (1 0 0) orientation of silicon thin films made by aluminum-induced layer exchange
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In the aluminum-induced layer exchange process polycrystalline silicon thin films can be formed on foreign substrates at low temperatures. These films exhibit a preferential (1 0 0) crystal orientation, that depends on the annealing temperature. Further, the preferential orientation is sensitive to the nature of the Al oxide layer between the Si and the Al. A model based on preferential nucleation is presented which elucidates a possible origin of the preferential (1 0 0) orientation and its sensitivity to temperature and the aluminum oxide interlayer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 287, Issue 2, 25 January 2006, Pages 423–427
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 287, Issue 2, 25 January 2006, Pages 423–427
نویسندگان
J. Schneider, A. Sarikov, J. Klein, M. Muske, I. Sieber, T. Quinn, H.S. Reehal, S. Gall, W. Fuhs,