کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1791330 | 1524467 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The local generation and recombination lifetime based on forward diode characteristics diagnostics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: The local generation and recombination lifetime based on forward diode characteristics diagnostics The local generation and recombination lifetime based on forward diode characteristics diagnostics](/preview/png/1791330.png)
چکیده انگلیسی
⺠Novel method to extract the local carrier generation and recombination lifetime from forward characteristics of diode. ⺠Leakage current relates to the defects in the depletion region of p-n junction. ⺠Implantation step generate defects. ⺠The electrically active defects have been studied from the activation energy by analyzing the carrier lifetime.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 362, 1 January 2013, Pages 300-303
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 362, 1 January 2013, Pages 300-303
نویسندگان
Weera Pengchan, Toempong Phetchakul, Amporn Poyai,