کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
8149293 | 1524379 | 2016 | 30 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical simulation of stresses and dislocations in quasi-mono silicon
ترجمه فارسی عنوان
شبیه سازی عددی تنش و جابجایی در سیلیکون شبه منو
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
چکیده انگلیسی
The Alexander-Haasen model is applied for the analysis of dislocation dynamics in quasi-mono crystalline silicon. Model constants are re-calibrated using stress-strain measurements on small silicon samples under uniaxial compression. It is observed that the activation energy may decrease at low temperatures and the hardening parameter generally increases due to the presence of grown-in dislocation clusters. The calibrated model is applied to an idealized cooling process which allows for a discussion of the basic physical mechanisms leading to residual stresses in quasi-mono ingots. Residual stresses can be reduced by minimizing thermal stresses during the elastic-plastic transition, which was observed approximately between 1100 °C and 750 °C in the present case.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 450, 15 September 2016, Pages 14-21
Journal: Journal of Crystal Growth - Volume 450, 15 September 2016, Pages 14-21
نویسندگان
K. Dadzis, H. Behnken, T. Bähr, D. Oriwol, L. Sylla, T. Richter,