Keywords: تعویض دوقطبی; Organic electronics; Bipolar switching; Threshold switching; MnTPPS; LB films;
مقالات ISI تعویض دوقطبی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Robust non-volatile bipolar resistive switching in sol-gel derived BiFeO3 thin films
Keywords: تعویض دوقطبی; BiFeO3; RRAM; Bipolar switching; Multiferroic materials;
Coexistence of the bipolar and unipolar resistive switching behaviors in vanadium doped ZnO films
Keywords: تعویض دوقطبی; Vanadium-doped ZnO thin film; Unipolar switching; Bipolar switching
Side chains contributions to characteristics of resistive memory based on water-soluble polyfluorenes: Effects of structure and length of side pendant group
Keywords: تعویض دوقطبی; Organic resistive memory; Bipolar switching; Water-soluble polyfluorene; Ethylene oxide side chain; Conjugated polyelectrolyte;
Au doping effects in HfO2-based resistive switching memory
Keywords: تعویض دوقطبی; Oxygen vacancy; Conducting filament; Bipolar switching;
Scaled X-bar TiN/HfO2/TiN RRAM cells processed with optimized plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) for TiN electrode
Keywords: تعویض دوقطبی; HfO2; RRAM; Bipolar switching; Plasma pre-treatment; PEALD TiN;
ZrO2 flexible printed resistive (memristive) switch through electrohydrodynamic printing process
Keywords: تعویض دوقطبی; Bipolar switching; Electroforming process; Electrohydrodynamic printing; Flexible electronics; Memristor; Resistive switching;
Bipolar resistive switching memory using bilayer TaOx/WOx films
Keywords: تعویض دوقطبی; Resistive memory (RRAM); Bi-layer; Tantalum oxide (TaOx); Filamentary conduction; Non-volatile memory; Iridium oxide (IrOx); Transition metal oxide (TMO); Bipolar switching
Evidence for compliance controlled oxygen vacancy and metal filament based resistive switching mechanisms in RRAM
Keywords: تعویض دوقطبی; Bipolar switching; Metal filament; Oxygen vacancy; Resistive random access memory (RRAM); Unipolar switching