![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
A statistical analysis of the lateral displacement of Si atoms in molecular dynamics simulations of successive bombardment with 20-keV C60 projectiles
Keywords: C60 +; ToF-SIMS; Sputter depth profiling; Sputtering; Molecular dynamics simulations; Cluster ions; C60+; Si;