Keywords: تعویض هدایت; Molecular device; Negative differential resistance; Conductance switching; Density-functional theory; Nonequilibrium Green's functions;
مقالات ISI تعویض هدایت (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: تعویض هدایت; PBD; PVK; Conductance switching; Memory; Flash
Keywords: تعویض هدایت; Carbon nanotube; Polyurethane; Flash; Memory; Conductance switching
Three-levels conductance switching in an organic memory cell
Keywords: تعویض هدایت; Conductance switching; Organic memory; Multilevel memory; Electronic devices;
(Organic) Switching phenomenon in lateral structures: Tuning by gate voltage
Keywords: تعویض هدایت; 85.65.+h; 73.40.Sx; 73.61.PhMemory phenomenon; Conductance switching; Lateral structures; Organic semiconductors
Tuning of conductance switching by supramolecular structures
Keywords: تعویض هدایت; Conduction mechanism; Conductance switching; Layer-by-layer electrostatic assembly; Supramolecular structures
Organic bistable memory switching phenomena and H-like aggregates in squarylium dye Langmuir-Blodgett films
Keywords: تعویض هدایت; Conductance switching; H-aggregates; Langmuir-Blodgett films; Squarylium dye;
Metrology for molecular electronics
Keywords: تعویض هدایت; Molecular electronics; Charge transport; Conductance switching; Inelastic electron tunneling spectroscopy
On the origin of multilevel conductance and memory in ultrathin organic films
Keywords: تعویض هدایت; 85.65.+h; 85.30.De; 81.16.Fg; 73.61.Ph; 72.80.Le; Conductance switching; Data-storage; Electroreduction; Memory applications; Multilevel conductance; Organic semiconductors;
Fullerene-based bistable devices and associated negative differential resistance effect
Keywords: تعویض هدایت; 73.61.Wp; 85.65.+h; 73.40.Sx; 84.37.+q; Fullerene; Conductance switching; Memory applications; Negative differential resistance; Tunneling;