![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
The roles of the temperature on the structural and electronic properties of deep-level VAsVGa defects in gallium arsenide
Keywords: نقص های سطح عمیق; Gallium arsenide; VAsVGa defects; EL2; EL6; Deep-level defects; First-principles;