دانلود مقالات ISI درباره خواص الکتریکی و اندازه گیری + ترجمه فارسی

A study of the interface and the related electronic properties in n-Al0.35Ga0.65N/GaN heterostructure

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; 78.66; 73.40; 73.61.E; 78.66.F; Electrical properties and measurements; Photovoltage; Nitrides; Interface;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of thermal treatment in oxygen, nitrogen, and air atmospheres on the electrical transport properties of zinc oxide thin films

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; 73.50.-h; 73.61.Ga; Zinc oxide; Heat treatment; Electrical properties and measurements; Sputtering;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Optical detection of ion diffusion in electrochromic poly(3,4-ethylenedioxy)thiophene film using microcantilever electrodes

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; 42.70.Jk; 71.20.Rv; 82.35.Cd; Organic semiconductors; Electrical properties and measurements;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Properties of aluminum titanate films prepared by chemical vapor deposition under different aluminum butoxide inputs

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; Chemical vapor deposition; Electrical properties and measurements; Dielectric properties; Optical properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Investigation of the growth process and properties of CuIn5S8 and AgIn5S8 spinel thin films

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; 81.15.Ef; S68.35.Np; 81.65.Cf; 68.37.Ps; Spinel films; X-ray diffraction; X-ray photoelectron spectroscopy (XPS); Electrical properties and measurements;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

A comparative study on lanthanide oxide thin films grown by atomic layer deposition

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; Atomic layer deposition; Lanthanides; Oxides; Electrical properties and measurements;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Integration of stacked capacitor module with ultra-thin ferroelectric SrBi2Ta2O9 film for high density ferroelectric random access memory applications at low voltage operation

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; 77.84.Dy; Ferroelectric properties; Crystallization; Electrical properties and measurements; Strontium bismuth tantalate (SBT);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Growth mechanism and thermoelectric properties of PbTe/SnTe/PbTe heterostructures

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; 73.50-h; Lead telluride; Tin telluride; Electron microscopy; Electrical properties and measurements;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Beneficial effects of hydrogen peroxide on growth, structural and electrical properties of sprayed fluorine-doped SnO2 films

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; 73.50; 73.61J; 81.15; Tin oxide; Electrical properties and measurements; Growth mechanism; Optical properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Comparative study on electrical properties of atomic layer deposited high-permittivity materials on silicon substrates

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; 73.40.Qv; 73.61.Ng; 77.55.+f; Dielectrics; Atomic layer deposition; Electrical properties and measurements; Metal-oxide-semiconductor structure (MOS);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of substrate properties and thermal annealing on the resistivity of molybdenum thin films

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; 73.50.Bk; Molybdenum; Physical vapour deposition (PVD); Electrical properties and measurements; Surface roughness;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Li-doping effects on the electrical properties of ZnO films prepared by the chemical-bath deposition method

Keywords: خواص الکتریکی و اندازه گیری; 73.30.+y; 73.50.−h; 77.55; Zink oxide films; Chemical bath deposition; Electrical properties and measurements; Dielectric properties;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه