کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9812981 | 1518123 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparative study on electrical properties of atomic layer deposited high-permittivity materials on silicon substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Deep level transient spectroscopy, capacitance-voltage and conductance transient measurement techniques have been applied in order to evaluate the electrical quality of thin high-permittivity oxide layers on silicon. The oxides studied included HfO2 film grown from two different oxygen-free metal precursors and Ta2O5 and Nb2O5 nanolaminates. The interface trap densities correlated to the oxide growth chemistry and semiconductor substrate treatment. No gap state densities induced by structural disorder were measured in the films grown on chemical SiO2. Trap densities were also clearly lower in HfO2 films compared to Ta2O5-Nb2O5.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 474, Issues 1â2, 1 March 2005, Pages 222-229
Journal: Thin Solid Films - Volume 474, Issues 1â2, 1 March 2005, Pages 222-229
نویسندگان
S. Dueñas, H. Castán, H. GarcÃa, J. Barbolla, K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä,