کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
1663796 1517996 2016 4 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Random telegraph noise: The key to single defect studies in nano-devices
ترجمه فارسی عنوان
سر و صدای تلگراف تصادفی: کلیدی برای مطالعات تک نقص در دستگاه های نانو
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
کلمات کلیدی
RTS؛ مراکز تولید ـ نوترکیبی. سر و صدا با فرکانس پایین؛ ترانزیستور پلی سیلیکون عمودی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
چکیده انگلیسی


• Extraction of Random Telegraph Signals (RTSs) parameters in small area MOSFETs.
• Colored Time Lag Plot method for RTS parameters.
• Observation of slow and fast RTS in vertical poly transistors.
• Use of RTS amplitude for trap localization.

A review is given of the different methods to extract the main parameters from a Random Telegraph Signal (RTS) occurring in the channel current of small-area Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, namely, its amplitude and its average up and down time constants. The advantages of using a so-called colored Time Lag Plot will be illustrated, enabling the detection of single defects in semiconductor materials and devices with high sensitivity. It will finally be shown that a detailed modeling of the RTS amplitude in vertical polycrystalline silicon transistors can yield the position of the trap in the channel with high accuracy.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 613, 31 August 2016, Pages 2–5
نویسندگان
, , , , , ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت