Keywords: Metal oxide semiconductor field effect transistor; Double gate; Gate all around; Nanowire transistor; Non-equilibrium Green's function; Exchange-correlation potential;
مقالات ISI (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Performance Evaluation of a Novel GAA Schottky Junction (GAASJ) TFET with Heavily Doped Pocket
Keywords: Subthreshold slope; Tunnel FET; Highly doped pocket; Schottky barrier; Gate all around; Stacked oxide;
Impact of gate material engineering(GME) on analog/RF performance of nanowire Schottky-barrier gate all around (GAA) MOSFET for low power wireless applications: 3D T-CAD simulation
Keywords: ATLAS-3D; Dual material gate; Gate all around; Gate stack; Gate material engineered (GME); Schottky-barrier (metal) source/drain; Wireless applications;
Two-dimensional analytical threshold voltage roll-off and subthreshold swing models for undoped cylindrical gate all around MOSFET
Keywords: Gate all around; MOSFET; Device modeling; Downscaling; Threshold voltage; Subthreshold swing; Surrounding-gate MOSFET