کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1544350 | 1512886 | 2014 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Novel Indium Arsenide double gate and gate all around nanowire MOSFETs for diminishing the exchange correlation effect: A quantum study
ترجمه فارسی عنوان
دروازه ورودی نواری آرسنید هند و دروازه های سراسر مغناطیسی نانوسیم برای کاهش اثر همبستگی مبادله: یک مطالعه کوانتومی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
چکیده انگلیسی
The key idea in this work is to use Indium Arsenide (InAs) semiconductor instead of Si for diminishing the exchange-correlation (Ex-Corr) effect.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 63, September 2014, Pages 114-124
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 63, September 2014, Pages 114-124
نویسندگان
Ali A. Orouji, Mohammad Nejaty, Alireza Mohtasham,