Keywords: ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی فلز اکسید; Metal oxide semiconductor field effect transistor; Double gate; Gate all around; Nanowire transistor; Non-equilibrium Green's function; Exchange-correlation potential;
مقالات ISI ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی فلز اکسید (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Achievement of MPPT by finite time convergence sliding mode control for photovoltaic pumping system
Keywords: ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی فلز اکسید; MPP; maximum power point; PV; photovoltaic; MPPT; maximum power point tracking; DC; direct current; P&O; perturbation and observation; SMC; sliding mode control; FTSMC; finite time sliding mode control; PVG; photovoltaic generator; MOSFET; metal oxide sem
4H-SiC trench MOSFET with splitting double-stacked shielded region
Keywords: ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی فلز اکسید; Silicon Carbide; Metal oxide semiconductor field effect transistor; Sentaurus tcad simulations; Switching loss; Gate charge;
Superior electrical characteristics of novel nanoscale MOSFET with embedded tunnel diode
Keywords: ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی فلز اکسید; Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor; Silicon On Insulator; Self heating effect; Floating body effect; Short channel effects;
High-K materials and metal gates for CMOS applications
Keywords: ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی فلز اکسید; ALD; atomic layer deposition; CB; conduction band; CBO; conduction band offset; CMOS; complimentary metal oxide semiconductor; CNL; charge neutrality level; CV; capacitance voltage; CVD; chemical vapour deposition; DB; dangling bond; DOS; density of state
Precursors as enablers of ALD technology: Contributions from University of Helsinki
Keywords: ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی فلز اکسید; acac; acetylacetonate; ALD; atomic layer deposition; CET; capacitance equivalent thickness; CHT; cycloheptatrienyl; CHD; cyclohexadiene; CMOS; complementary metal oxide semiconductor; CN; coordination number; Cp; cyclopentadienide; COD; cyclooctadiene; CV
Determination of Patient Radiation Dose During Ureteroscopic Treatment of Urolithiasis Using a Validated Model
Keywords: ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی فلز اکسید; ureter; nephrolithiasis; radiologic health; ureteroscopy; fluoroscopy; CT; computerized tomography; ED; effective dose; EDR; ED rate; KUB; x-ray of kidneys, ureters and bladder; MOSFET; metal oxide semiconductor field effect transistor; URS; ureteroscopy;
A novel partial SOI LDMOSFET with a trench and buried P layer for breakdown voltage improvement
Keywords: ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی فلز اکسید; Partial silicon-on-insulator; Metal oxide semiconductor field effect transistor; Breakdown voltage; Two dimensional (2D) simulation;
Deposition and growth kinetics studies of thin zirconium dioxide films by UVILS-CVD
Keywords: ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی فلز اکسید; Metal oxide semiconductor field effect transistor; UVILS-CVD; Microelectronic industry;
In vivo measurements with MOSFET detectors in oropharynx and nasopharynx intensity-modulated radiation therapy
Keywords: ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی فلز اکسید; Metal oxide semiconductor field effect transistor; Intensity-modulated radiation therapy; Oropharynx; Nasopharynx; In vivo;