کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1554214 | 998776 | 2011 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A novel partial SOI LDMOSFET with a trench and buried P layer for breakdown voltage improvement
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Partial silicon on insulator lateral double diffused MOSFET is proposed. ⺠The introduced trench in the partial buried oxide enhances peak of electric field. ⺠The trench is positioned in drain side of drift region to maximum breakdown voltage. ⺠The electric field is modified by producing two additional electric field peaks.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 50, Issue 5, November 2011, Pages 449-460
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 50, Issue 5, November 2011, Pages 449-460
نویسندگان
Ali A. Orouji, S.E. Jamali Mahabadi, P. Keshavarzi,