Keywords: قابلیت اطمینان اکسید دروازه; Crosstalk; Overshoot/undershoot; Multilayer Graphene Nano Ribbon (MLGNR); Interconnects; ABCD parameter; Specular; Neutral; Gate oxide failure rate; AFR; Gate oxide reliability; Integrated circuit
مقالات ISI قابلیت اطمینان اکسید دروازه (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Gate leakage-current analysis and modelling of planar and trench power SiC MOSFET devices in extreme short-circuit operation
Keywords: قابلیت اطمینان اکسید دروازه; Silicon carbide (SiC); Power MOSFET; Short-circuit; Gate-leakage current; Gate oxide reliability;
Internal photoemission study on charge trapping behavior in rapid thermal oxides on strained-Si/SiGe heterolayers
Keywords: قابلیت اطمینان اکسید دروازه; 73.20.âr; 81.65.Mq; 73.20.At; 73.40.Qv; 81.15.Gh; Strained-Si/SiGe; Internal photoemission; Gate oxide reliability; Charge trapping; Rapid thermal oxidation; Ge-segregation; Breakdown;
Accurate assessment of the time-to-failure of hyper-thin gate oxides subjected to constant electrical stress using a logistic-type model
Keywords: قابلیت اطمینان اکسید دروازه; Progressive Breakdown; Gate Oxide Reliability; Logistic Equation;
A new charge-trapping nonvolatile memory based on the re-oxidized nitrous oxide
Keywords: قابلیت اطمینان اکسید دروازه; Re-oxidized N2O; Nitrogen-rich layer; Charge trap; Nonvolatile memory; Gate oxide reliability;