کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
9670484 | 1450403 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Accurate assessment of the time-to-failure of hyper-thin gate oxides subjected to constant electrical stress using a logistic-type model
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
When a metal-oxide-semiconductor structure with a hyper-thin (â¤2nm) dielectric film is subjected to constant voltage stress, after the triggering of the breakdown event, the leakage current increases progressively over time until saturation. In this work, we propose a logistic-type growth model that allows capturing the non-symmetrical features of the trajectory exhibited by the current-time characteristics. It is discussed how the resulting solution could be used to evaluate the time-to-failure under different stress conditions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 166-169
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 80, 17 June 2005, Pages 166-169
نویسندگان
F. Palumbo, E. Miranda, S. Lombardo,