Keywords: آنتیموان هندو است; Ag; silver; Ag2S; silver Sulfide; AIST; Japanese National Institute of Advanced Industrial Science and Technology; AM; air mass; a-Si; amorphous silicon; Au; gold; AZO; Al-doped ZnO; Bi2S3; bismuth(III) sulfide; CB; conduction band; CBD; chemical bath dep
مقالات ISI آنتیموان هندو است (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
High-energy terahertz surface optical rectification
Keywords: آنتیموان هندو است; THz; Terahertz; OR; Optical Rectification; InAs; Indium Arsenide; InSb; Indium Antimonide; OPTP; Optical Pump Terahertz Probe; OPRE; Optical Pump Rectification Emission; SP; Screening Pump; TP; Terahertz Pump; Terahertz dynamics; Quasi-2D nonlinear optics
Behavior of GaSb (100) and InSb (100) surfaces in the presence of H2O2 in acidic and basic cleaning solutions
Keywords: آنتیموان هندو است; Gallium antimonide; Indium antimonide; Hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture; Ammonium hydroxide/hydrogen peroxide mixture; Oxidation;
Synthesis and thermoelectric properties of InSb alloys by solid reaction
Keywords: آنتیموان هندو است; Indium antimonide; Eutectic melting; Thermoelectric property;
Electronic structure and STM imaging of the KBr-InSb interface
Keywords: آنتیموان هندو است; Thin film; Indium antimonide; KBr; Scanning tunneling; Microscopy; Interface;
Reconstructions of the sulfur-passivated InSb (100) surface
Keywords: آنتیموان هندو است; Indium antimonide; Passivation; Sulfur; Reconstruction;
Thermal properties of molten InSb, GaSb, and InxGa1−xSb alloy semiconductor materials in preparation for crystal growth experiments on the international space station
Keywords: آنتیموان هندو است; Viscosity; Wetting property; Evaporation rate; Indium gallium antimonide; Gallium antimonide; Indium antimonide
Investigation on the structural stability and electronic properties of InSb nanostructures – A DFT approach
Keywords: آنتیموان هندو است; Nanostructures; Indium antimonide; Binding energy; Embedding energy; Electronic property
Sulfur passivation of InSb(1Â 0Â 0) surfaces: Comparison of aqueous and alcoholic ammonium sulfide solutions using X-ray photoemission spectroscopy
Keywords: آنتیموان هندو است; Indium antimonide; Ammonium sulfide; Solvent effect; Surface passivation; Surface chemistry; XPS;
Plasticity of indium antimonide between −176 and 400 °C under hydrostatic pressure. Part I: Macroscopic aspects of the deformation
Keywords: آنتیموان هندو است; Semiconductor; Indium antimonide; Brittle-to-ductile transition; Compression; Indentation
Plasticity of indium antimonide between −176 °C and 400 °C under hydrostatic pressure. Part II: Microscopic aspects of the deformation
Keywords: آنتیموان هندو است; Semiconductor; Indium antimonide; Brittle-to-ductile transition; Transmission electron microscopy; Dislocations
Growth and characterisation of dilute antimonide nitride materials for long-wavelength applications
Keywords: آنتیموان هندو است; Dilute nitride; Indium antimonide; InSb; Gallium antimonide; GaSb; Infrared; MWIR; LWIR
Metal–nonmetal transition in the sphalerite-type solid solution [ZnSnSb2]1−x[2(InSb)]x
Keywords: آنتیموان هندو است; Metal–nonmetal transition; Sphalerite structure; Indium antimonide; Solid solution
STM and XPS characterization of zinc phthalocyanine on InSb(0 0 1)
Keywords: آنتیموان هندو است; Indium antimonide; Zinc phthalocyanine; Scanning tunneling microscopy; X-ray photoelectron spectroscopy;
Low temperature InSb(0 0 1) surface structure studied by scanning tunneling microscopy
Keywords: آنتیموان هندو است; Indium antimonide; InSb; Scanning tunneling microscopy; Surface electronic phenomena; Surface structure;
High energy Sn ion implantation induced effects in InSb substrates
Keywords: آنتیموان هندو است; 61.80.Jh; 42.70.Km; 61.10.Nz; 78.30.FsImplantation; Indium antimonide; X-ray diffraction; Hall effect
Self-assembled monolayer of tin-phthalocyanine on InSb(0Â 0Â 1)-(4Â ÃÂ 2)/c(8Â ÃÂ 2)
Keywords: آنتیموان هندو است; Tin phthalocyanine; Scanning tunneling microscopy (STM); Organic semiconductors; High-resolution electron energy loss spectroscopy (HREELS); Self-assembled monolayer (SAM); Indium antimonide;