Study of line-TFET analog performance comparing with other TFET and MOSFET architectures
Keywords: Line-TFET; Intrinsic voltage gain; Different device architectures;
مقالات ISI (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Asymmetric bilayer graphene nanoribbon MOSFETs for analog and digital electronics
Keywords: Bilayer graphene nanoribbon (BGN); Nonequilibrium Green's function (NEGF); Current-voltage characteristics; Intrinsic voltage gain; Cut-off frequency; Switching delay; Power delay product (PDP) current switching ratio
Behavior of triple-gate Bulk FinFETs with and without DTMOS operation
Keywords: DTMOS; Bulk; Triple-gate; Early voltage; Intrinsic voltage gain; Analog performance
How crucial is back gate misalignment/oversize in double gate MOSFETs for ultra-low-voltage analog/rf applications?
Keywords: Ultra-low-voltage analog/rf design; Double gate MOSFETs; Misaligned/oversize back gate; Gate-underlap architecture; Cut-off frequency; Intrinsic voltage gain; Transconductance-to-current ratio; Early voltage
Source/drain extension region engineering in nanoscale double gate SOI MOSFETs: Novel design methodology for low-voltage analog applications
Keywords: Nanoscale double gate SOI MOSFET; Source/drain extension region engineering; Low-voltage/low-power analog applications; Intrinsic voltage gain; Early voltage; Transconductance-to-current ratio; Gate capacitances; Cut-off frequency