![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Low-temperature and global epitaxy of GaN on amorphous glass substrates by molecular beam epitaxy via a compound buffer layer
Keywords: دمای پایه کم; III-nitrides; Quartz glass substrate; Low substrate temperature; Pre-orienting layer; Nucleation layer;