کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1786141 | 1023406 | 2013 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low temperature plasma production of hydrogenated nanocrystalline silicon thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠nc-Si:H films were grown by RF PECVD at substrate temperatures of 80-200 °C. ⺠Films grown away from the gas inlet are nanocrystalline at all temperatures. ⺠160 °C was the optimal substrate temperature for the growth of nc-Si:H film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Current Applied Physics - Volume 13, Issue 1, January 2013, Pages 181-188
Journal: Current Applied Physics - Volume 13, Issue 1, January 2013, Pages 181-188
نویسندگان
Tamila Anutgan, Sema Uysal,