![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Fast and slow traps in Al2O3/(GaN)/AlGaN/GaN heterostructures studied by conductance technique
Keywords: سازه های نیمه هادی فلزات; Equivalent parallel conductance; Metal-insulator-semiconductor structures; III-N MIS heterostructure; Interface traps;