کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
7118912 1461407 2015 10 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determination of interface states in metal(Ag,TiN,W)−Hf:Ta2O5/SiOxNy−Si structures by different compact methods
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Determination of interface states in metal(Ag,TiN,W)−Hf:Ta2O5/SiOxNy−Si structures by different compact methods
چکیده انگلیسی
At midgap all four considered methods give similar values. Terman׳s method appears to give substantially overestimated values of Dit for energies other than that of the midgap, owing to the charging of the internal interface between the higk-k layer and the interfacial SiOxNy layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 39, November 2015, Pages 308-317
نویسندگان
,