کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
7118912 | 1461407 | 2015 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determination of interface states in metal(Ag,TiN,W)âHf:Ta2O5/SiOxNyâSi structures by different compact methods
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Determination of interface states in metal(Ag,TiN,W)âHf:Ta2O5/SiOxNyâSi structures by different compact methods Determination of interface states in metal(Ag,TiN,W)âHf:Ta2O5/SiOxNyâSi structures by different compact methods](/preview/png/7118912.png)
چکیده انگلیسی
At midgap all four considered methods give similar values. Terman׳s method appears to give substantially overestimated values of Dit for energies other than that of the midgap, owing to the charging of the internal interface between the higk-k layer and the interfacial SiOxNy layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 39, November 2015, Pages 308-317
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 39, November 2015, Pages 308-317
نویسندگان
N. Novkovski,