Keywords: Annealing; Flash memories; Heavy ions; Multiple cell upsets; Radiation effects;
مقالات ISI (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: Error correction codes; Latin squares; Majority logic decoding; Multiple cell upsets; Memory
Keywords: Energy deposition; Single event effects; Multiple cell upsets; Memory cell; Heavy ions; Cross section; Multiplicity; Linear energy transfer
Keywords: Single event effects; Multiple cell upsets; Memory cell; Heavy ions; Cross-section; Linear energy transfer;
Comments on “Extend orthogonal Latin square codes for 32-bit data protection in memory applications” Microelectron. Reliab. 63, 278-283 (2016)
Keywords: Latin square code; Multiple cell upsets; Memory;