کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی نسخه تمام متن
1822053 1526299 2016 7 صفحه PDF سفارش دهید دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Multiple cell upset cross-section modeling: A possible interpretation for the role of the ion energy-loss straggling and Auger recombination
ترجمه فارسی عنوان
مدل سازی مقطعی نارسای چندگانه: یک تفسیر ممکن برای نقش بازدارندگی از دست دادن انرژی یون و نوترکیب آه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت
کلمات کلیدی
رسوب انرژی، اثرات رویداد تک، خرابی های چندگانه، سلول حافظه، یون های سنگین سطح مقطع، چندگانه، انتقال انرژی خطی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه فیزیک و نجوم ابزار دقیق
چکیده انگلیسی

We found that the energy deposition fluctuations in the sensitive volumes may cause the multiple cell upset (MCU) multiplicity scatter in the nanoscale (with feature sizes less than 100 nm) memories. A microdosimetric model of the MCU cross-section dependence on LET is proposed. It was shown that ideally a staircase-shaped cross-section vs LET curve spreads due to the energy-loss straggling impact into a quasi-linear dependence with a slope depending on the memory cell area, the cell critical energy and efficiency of charge collection. This paper also presents a new model of the Auger recombination as a limiting process of the electron–hole charge yield, especially at the high-LET ion impact. A modified form of the MCU cross-section vs LET data interpolation is proposed, discussed and validated.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment - Volume 827, 11 August 2016, Pages 1–7
نویسندگان
, ,
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
سفارش ترجمه تخصصی
با تضمین قیمت و کیفیت