دانلود مقالات ISI درباره مقاومت در برابر + ترجمه فارسی

Ion-irradiation damage on GaN p-n junction diodes by inductively coupled plasma etching and its recovery by thermal treatment

Keywords: مقاومت در برابر; GaN; p-n Junction; Dry etching; On-resistance; Breakdown;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Performance optimization of InGaAs power LDMOSFET

Keywords: مقاومت در برابر; InGaAs; LDMOSFET; Breakdown voltage; On-resistance; Figure-of-merit

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

A normally-off fully AlGaN HEMT with high breakdown voltage and figure of merit for power switch applications

Keywords: مقاومت در برابر; GaN HEMT; Field plate; AlGaN gate; AlGaN channel; Breakdown voltage; ON-resistance; Power switch

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

High figure-of-merit SOI power LDMOS for power integrated circuits

Keywords: مقاومت در برابر; Power LDMOS; SOI; Breakdown voltage; On-resistance; Figure-of-merit

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Failure analysis and improvement of 60 V power UMOSFET

Keywords: مقاومت در برابر; Power UMOSFET; Failure analysis; On-resistance; Reliability;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Improving non-suspended carbon nanotube FET performance by using an alumina protective layer

Keywords: مقاومت در برابر; Carbon nanotube; Electrical contact; Resist residue; Protective layer; On-resistance; HysteresisSWNT, single-walled carbon nanotube; ALD, atomic layer deposition; PL, photolithography; EBL, electron-beam lithography; AFM, atomic force microscopy; SEM, sca

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Injected charges in partial SOI LDMOSFETs: A new technique for improving the breakdown voltage

Keywords: مقاومت در برابر; Breakdown voltage; On-resistance; Injected charge; Buried oxide (BOX)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

New trench gate power MOSFET with high breakdown voltage and reduced on-resistance using a SiGe zone in drift region

Keywords: مقاومت در برابر; Breakdown voltage; On-resistance; Trench gate MOSFET; SiGe zone; Buried oxide (BOX)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

AlGaN/GaN hybrid MOS-HEMT analytical mobility model

Keywords: مقاومت در برابر; GaN; AlGaN; Hybrid MOS-HEMT; MOSFET; HEMT; Model; On-resistance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Fabricating high performance n-channel lateral double diffused metal–oxide–semiconductor transistors utilizing the shallow trench isolation as a salicide blocking mask of the drift region

Keywords: مقاومت در برابر; 85.30.T; 84.30.J; 81.05.C; 85.40.e; 85.30.TvBreakdown voltage; Drift; High-voltage; LDMOS; On-resistance; Saturation drain current; Standard logic process; System on a chip

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

An area efficient body contact for low and high voltage SOI MOSFET devices

Keywords: مقاومت در برابر; High voltage; Low voltage; Partially depleted SOI MOSFET; On-resistance; Breakdown voltage; Floating body effects; Body contact; Three-dimensional simulation; Non-isothermal drift-diffusion model

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه