Keywords: اتهام اکسید; Silicon detectors; Avalanche multiplication; LGAD; Process technology; Oxide charge;
مقالات ISI اتهام اکسید (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Net negative charge in low-temperature SiO2 gate dielectric layers
Keywords: اتهام اکسید; Oxide charge; PECVD silicon oxide; Plasma oxidation
A new mechanism for modulation of Schottky barrier heights on silicon nanowires
Keywords: اتهام اکسید; 81.07.Lk, 61.72.ây, 73.30.+y; Silicon nanowires; Doping; Schottky contact; Oxide charge;
Evaluation of MOS structures processed on 4H-SiC layers grown by PVT epitaxy
Keywords: اتهام اکسید; 64.70.Hz; 73.40.Qv; 73.20.-r; 73.20.Mf; PVT epitaxy; MOS capacitor; Density of interface states; Oxide charge;