کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1547149 | 997629 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A new mechanism for modulation of Schottky barrier heights on silicon nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
For nanowires with Schottky barriers on the end surfaces, charges on the walls of the wire are close enough to the metal-semiconductor interface to influence the Schottky barrier. This is similar to an effect in planar structures, where impurities with energy levels below the Fermi level in the bulk of the substrate material will change charge state in the depletion region of a metal-semiconductor structure if the Schottky barrier is high enough to bring the impurity energy level above the Fermi level. The mechanism for barrier modulation is the same in both cases and occurs in nanowires as a result of the wire geometry.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 40, Issue 7, May 2008, Pages 2508-2512
Journal: Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures - Volume 40, Issue 7, May 2008, Pages 2508-2512
نویسندگان
J. Piscator, O. Engström,