![این مقاله در پایگاه ساینس دایرکت منتشر شده است Elsevier - ScienceDirect - الزویر - ساینس دایرکت](/assets/img/Elsevier-Logo.png)
Effective work-function control technique applicable to p-type FinFET high-k/metal gate devices
Keywords: جای خالی اکسیژن یا تهی جایی اکسیژن; Effective work function; Replacement Metal Gate (RMG); Hafnium oxide; Oxygen vacancy;