دانلود مقالات ISI درباره نقص رادیویی + ترجمه فارسی

Radiation stability of fluorite-type nuclear oxides

Keywords: نقص رادیویی; 61.80.Jh; 61.72.Bb; 61.72.Cc; 61.85.+p; 61.72.FfFluorite-type structure; Radiation stability; Radiation defects; Gas aggregates; Ion channelling; Transmission electron microscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Separation of the contributions from γ- and UV-radiation to the EPR spectra of tooth enamel plates

Keywords: نقص رادیویی; EPR; Tooth enamel; Radiation defects; EPR dating; Retrospective dosimetry; EPR spectrum anisotropy; UV light

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characterization of the radiation-induced defects in Si detectors by carrier transport and decay transients

Keywords: نقص رادیویی; 72.20.JvCarrier lifetime; Recombination and trapping; Si particle detectors; Carrier transit; Radiation defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Recombination characteristics of the proton and neutron irradiated semi-insulating GaN structures

Keywords: نقص رادیویی; 72.20.Jv; 71.55.Eq; Carrier lifetime; Recombination and trapping; Semi-insulating GaN; Radiation defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Monte Carlo + molecular dynamics modeling of radiation damages in Pu

Keywords: نقص رادیویی; 61.80.Az; 61.82.Bg; 02.70.Nsδδ-Pu; Radiation defects; Molecular dynamics; MEAM

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Proton irradiation defects in (fluoranthene)2PF6

Keywords: نقص رادیویی; 71.30.+h; 76.30.Pk; 76.60.Es; 76.70.-rElectron-spin resonance; Electron–proton double resonance; Quasi-one-dimensional conductors; Radiation defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Fluence dependent carrier lifetime variations in Si detectors determined by photoconductivity and transient grating techniques

Keywords: نقص رادیویی; 72.20.Jv; Recombination lifetime; Microwave probed photoconductivity; Transient grating technique; Radiation defects; Silicon detectors;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Raman and X-ray absorption near-edge structure characterization of GaN implanted with O, Ar, Xe, Te and Au

Keywords: نقص رادیویی; 61.72.Vv; 78.30.Fs; 78.30.Ly; 61.10.Ht; 63.50.+xGallium nitride; Implantation; Raman spectroscopy; Amorphization; Radiation defects; X-ray absorption spectroscopy

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Study of the critical current and irreversibility line of Bi2Sr2CaCu2O8 thin films irradiated with low-energy Co+ and Fe+ ions

Keywords: نقص رادیویی; 74.25.Nf; 74.60.Ec; 74.62.Dh; 74.72.Hs; 74.76.Bz; Bi2Sr2CaCu2O8 thin films; Radiation defects; Critical current density; Irreversibility line; Microwave absorption; Magnetic flux profile;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Driven mobility of self-interstitial defects under electron irradiation

Keywords: نقص رادیویی; 61.80.Az; 66.10.Cb; 67.80.MgTungsten; Radiation defects; Modelling; Diffusion of defects; Electron irradiation; Electron microscopy; Molecular dynamics

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Photoluminescence study of GaAs implanted with 100 MeV 28Si ions

Keywords: نقص رادیویی; 61.72.−y; 85.49.Ry; 71.55.Eq; 78.55.CrMeV ion implantation; GaAs; Photoluminescence; Radiation defects

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effect of Ge doping on the creation of luminescent radiation defects in MBE Si

Keywords: نقص رادیویی; 78.55.Ap; 81.40.Tv; 81.40.Wx; SiGe alloys; Ge-doped Si; Radiation defects; Photoluminescence;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Defect creation caused by the decay of cation excitons and hot electron–hole recombination in wide-gap dielectrics

Keywords: نقص رادیویی; 61.82.Ms; 71.35.−y; 78.60.−KnHot recombination; Radiation defects; Cation excitons; Luminescence

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Formation of radiation defects in silicon at high-energy implantation

Keywords: نقص رادیویی; Silicon; High-energy implantation; Radiation defects; Hall effect; IR absorption;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Platinum in-diffusion controlled by radiation defects for advanced lifetime control in high power silicon devices

Keywords: نقص رادیویی; Local lifetime control; Silicon devices; Platinum; Diffusion; Radiation defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Radiation enhanced diffusion of implanted platinum in silicon guided by helium co-implantation for arbitrary control of platinum profile

Keywords: نقص رادیویی; 61.80.Jh; 72.20.Jv; 71.55.−i; 66.30.Jt; Platinum; Helium; Radiation defects; Diffusion; Silicon; Lifetime control;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The interaction of P atoms and radiation defects with grain boundaries in an α-Fe matrix

Keywords: نقص رادیویی; 71.15.Pd; 61.72.−y; 61.82.−d; Molecular dynamics; Phosphorous; Iron; Radiation defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Characterization of carrier recombination and trapping processes in proton irradiated silicon by microwave absorption transients

Keywords: نقص رادیویی; 72.20.Jv; 61.72.Ji; 61.82.Fk; Silicon; Microwave absorption; Carrier lifetime; Recombination; Trapping; Radiation defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

The particularity of radiation modification of surface of (Li,Na)F single crystals for thin scintillation layers and screen preparation

Keywords: نقص رادیویی; 70; Single crystals; Color centers; Radiation defects; Radioluminescence; Scintillation geterostructures and screens;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Time-resolved luminescence of radiation defects in GaPO4 and AlPO4 crystals at VUV-excitation

Keywords: نقص رادیویی; 78.47. +p; 61.72. Ji; Photoluminescence; Time-resolved spectroscopy; Radiation defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Defect attributed variations of the photoconductivity and photoluminescence in the HVPE and MOCVD as-grown and irradiated GaN structures

Keywords: نقص رادیویی; 61.72 Hh; 72.40+w; GaN; Photoluminescence; Microwave absorption; Photoconductivity; Recombination; Multi-trapping; Radiation defects;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه