Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Resistive random access memory; Thin films; Multi-filaments; Electrical properties; Tunneling magnetoresistance;
مقالات ISI حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Graphene; Resistive random access memory; Plasma-enhanced chemical vapour deposition;
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Tantalum nitride; Forming-free switching; Cerium oxide; Sputtering; Resistive random access memory;
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Resistive switching; Resistive random access memory; Nonvolatile memory; Memristor; Organic resistive memory;
Forming-free sol-gel ZrOx resistive switching memory
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Oxide material; Electrical characteristic; Resistive random access memory; Sol-gel;
Memory properties of (110) preferring oriented CH3NH3PbI3 perovskite film prepared using PbS-buffered three-step growth method
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; CH3NH3PbI3; PbS-buffered growth; Texture; Resistive random access memory;
Effect of bottom electrode materials on resistive switching of flexible poly(N-vinylcarbazole) film embedded with TiO2 nanoparticles
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Resistive switching; Resistive random access memory; Titanium dioxide; Nanoparticles; Poly(N-vinylcarbazole); Polymer; Mechanical bending; Flexible substrates;
Electronic bipolar resistive switching behavior in Ni/VOx/Al device
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; VOx thin films; Resistive random access memory; Space charge limited current; Electronic bipolar resistive switching; Magnetron sputtering;
Endurance improvement and resistance stabilization of transparent multilayer resistance switching devices with oxygen deficient WOx layer and heat dissipating AlN buffer layer
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Transparent electronics; Resistive random access memory; Oxygen deficient layer; Heat dissipation;
Unipolar resistive switching behavior of amorphous SrMoO4 thin films deposited at room temperature
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Resistive random access memory; Resistive switching; Conducting filament; Molybdate; Thin film;
Low switching-threshold-voltage zinc oxide nanowire array resistive random access memory
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Zinc oxide; Nanowires; Resistive random access memory;
Manganite based memristors: Influence of the electroforming polarity on the electrical behavior and radiation hardness
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Oxide thin films; Resistive Random Access Memory; Radiation hardness;
50 nm AlxOy ReRAM program 31% energy, 1.6× endurance, and 3.6× speed improvement by advanced cell condition adaptive verify-reset
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Non-volatile memory; Resistive random access memory; ReRAM; Aluminum oxide; Verify-program; Filament
RTS noise characterization of HfOx RRAM in high resistive state
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Random telegraph noise; Time lag plot; Hidden markov model; Resistive random access memory; Trap assisted conduction
Investigation of HfO2 and ZrO2 for Resistive Random Access Memory applications
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Resistive Random Access Memory; Thin films; Hafnium dioxide; Zirconium dioxide; Atomic layer deposition; Attenuated total reflectance; Atomic force microscopy; Grazing Incidence X-ray diffraction;
Reproducible resistance switching of defect-engineered NiOx with metallic Nb impurity
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Resistive random access memory; Niobium; Doping; Nickel oxide; Electrical properties and measurements; X-ray photoelectron spectroscopy; Transmission electron microscopy
Conduction properties of micro-crystals of 2,5-dimethyl-N,N′-dicyanoquinonediimine metal (metal = Ag, Cu) complexes on SiO2/Si substrates
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Molecular conductor; Micro-/nano-crystal; Crystal growth on substrate; Bistable resistance; Resistive random access memory; Rectifier; Negative pressure effect
NiO thin films by MOCVD of Ni(dmamb)2 and their resistance switching phenomena
Keywords: حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی; Nickel oxide; Nickel bis(1-dimethylamino-2-methyl-2-butanolate); Resistance switching phenomenon; Resistive random access memory