Keywords: سرعت اشباع; Silicon carbide; Schottky diode; Hot electron transport; Saturation velocity
مقالات ISI سرعت اشباع (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
A novel deep submicron SiGe-on-insulator (SGOI) MOSFET with modified channel band energy for electrical performance improvement
Keywords: سرعت اشباع; Silicon germanium on insulator (SGOI); Saturation velocity; Mobility; Reliability; 2-D device simulation;
Optimal Ge profile design for base transit time of Si/SiGe HBTs
Keywords: سرعت اشباع; 85.30.De; 85.30.Pq; Base transit time; SiGe HBTs; Saturation velocity; Mobility;
Influence of carrier velocity related parameters on the propagation delay time of inverters with high-k gate dielectric CMISFETs
Keywords: سرعت اشباع; Carrier velocity; Mobility; Saturation velocity; Propagation delay time; CMIS inverters;