دانلود مقالات ISI درباره Sige Hbts + ترجمه فارسی

Novel analytical parameter extraction for SiGe HBTs based on the rational function fitting

Keywords: Parameter extraction; Rational function fitting; Small-signal equivalent circuit; SiGe HBTs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Impact of bias conditions on performance degradation in SiGe HBTs irradiated by 10 MeV Br ion

Keywords: Bias dependence; Displacement damage; Swift heavy ion; SiGe HBTs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

High power density, high efficiency 1 W SiGe power HBT for 2.4 GHz power amplifier applications

Keywords: SiGe HBTs; Power HBT; BiCMOS;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

High performance SiGe HBT power unit-cell for S-Band open collector adaptive bias power amplifier design

Keywords: SiGe HBTs; Power amplifier; Adaptive bias; Power unit-cell; Linearity; Output third-order intermodulation; Power added efficiency

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

An iteration approach for base doping optimization to minimize the base transit time in triangular-Ge-profile SiGe HBTs

Keywords: SiGe HBTs; Base-doping profile; Ge-profile; Base transit time;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Self-heating in multi-emitter SiGe HBTs

Keywords: 85.30.Pq; 85.30.DeBipolar transistor; Multi-emitter; Self-heating; SiGe HBTs; Temperature distribution

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

On the geometrical dependence of low-frequency noise in SiGe HBTs

Keywords: SiGe HBTs; 1/f Noise; Low-frequency noise; Geometry dependence; PE/AE Ratio

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Analysis and understanding of unique cryogenic phenomena in state-of-the-art SiGe HBTs

Keywords: SiGe HBTs; Silicon-germanium; Heterojunction bipolar transistor; Cryogenic; Low temperature; Negative differential resistance; Hysteresis; tunneling; Shockley-Read-Hall recombination;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Optimal Ge profile design for base transit time of Si/SiGe HBTs

Keywords: 85.30.De; 85.30.Pq; Base transit time; SiGe HBTs; Saturation velocity; Mobility;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

On the optimization and design of SiGe HBT cascode low-noise amplifiers

Keywords: LNA; Cascode; SiGe HBTs; Input third-order intercept point (IIP3); Noise figure; Volterra series;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 13 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه