کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10413370 | 895565 | 2005 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
On the optimization and design of SiGe HBT cascode low-noise amplifiers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: On the optimization and design of SiGe HBT cascode low-noise amplifiers On the optimization and design of SiGe HBT cascode low-noise amplifiers](/preview/png/10413370.png)
چکیده انگلیسی
This work presents a new design methodology for inductively-degenerated cascode low-noise amplifiers using advanced epitaxial-base SiGe HBTs. IIP3 and noise figure are simulated using a calibrated linear circuit analysis and Volterra series methodology as a function of the two major design variables: emitter geometry and biasing current. Analytical IIP3 expressions with/without the CB capacitance are derived and used to explain the numerical simulation results. The cancellation among individual non-linearities is maximized at a certain IC and emitter length combination, thus producing an IIP3 peak. The analytical expressions are in good agreement with the numerical simulation results, and can be used for robust circuit design.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 329-341
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 3, March 2005, Pages 329-341
نویسندگان
Qingqing Liang, Guofu Niu, John D. Cressler, Stewart Taylor, David L. Harame,