کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
749436 | 894827 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
An iteration approach for base doping optimization to minimize the base transit time in triangular-Ge-profile SiGe HBTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: An iteration approach for base doping optimization to minimize the base transit time in triangular-Ge-profile SiGe HBTs An iteration approach for base doping optimization to minimize the base transit time in triangular-Ge-profile SiGe HBTs](/preview/png/749436.png)
چکیده انگلیسی
This work presents a fixed-point iterative approach to optimize the base doping profile inside the base of triangular-Ge-profile SiGe HBTs to achieve the minimum base transit time. The results show a consistent reduction in base transit time with increasing slope of triangular-Ge-profile in base region in conjunction with an optimized base doping profile. Moreover, the optimum base doping profile shows a continuous reduction in base Gummal number for an increasing Ge-slope inside base. The iterative methodology is extended to incorporate the shifted-Ge-profile approach in base to achieve further reduction in base transit time.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 6, June 2007, Pages 961-964
Journal: Solid-State Electronics - Volume 51, Issue 6, June 2007, Pages 961-964
نویسندگان
Gagan Khanduri, Brishbhan Panwar,