کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10127496 | 1645054 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analytical expressions for subthreshold swing in FDSOI MOS structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
New analytical expressions for the subthreshold swing in FDSOI structures operated in both front gate and bottom gate modes are developed. These new equations (9)-(10) provide an accurate description of the subthreshold swing SW as a function of the main FDSOI stack parameters (film thickness, front gate thickness, back gate oxide thickness) and front/back interface trap density. They can be very useful for architecture design as well as electrical characterization of FDSOI devices operated either in front gate or free top surface bottom gate configurations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 149, November 2018, Pages 57-61
Journal: Solid-State Electronics - Volume 149, November 2018, Pages 57-61
نویسندگان
G. Ghibaudo, G. Pananakakis,