کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365167 | 871952 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dependence of GaAs:Si persistent photoconductivity on temperature and α-particle irradiation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A change in persistent photoconductivity is observed from the dose of 6Ã1012Â particles/cm2. At higher doses not only the current increases, but also the PPC duration. We try to explain these phenomena on the base of the existing theoretical models.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issue 1, January 2005, Pages 1-4
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issue 1, January 2005, Pages 1-4
نویسندگان
G.E. Zardas, P.H. Yannakopoulos, M. Ziska, Chrys. Symeonides, P.C. Euthymiou, O. Csabay,