کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365178 | 871952 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical overstress due to ESD induced displacement currents
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper a new failure mode is introduced, which is related to the large dV/dt of ESD pulses. It was observed after +4Â kV HBM stress for a 90V-BCD technology device and resulted in a gate oxide defect of a low voltage PMOS transistor, which was hidden deeper in the IC's circuitry. The underlying failure mechanisms are discussed based on experimental and simulational findings and measures for early identification and protection of potentially sensible devices are proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issue 1, January 2005, Pages 85-90
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issue 1, January 2005, Pages 85-90
نویسندگان
K.T. Kaschani,