کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365486 | 872100 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Silicon periodic nano-structures obtained by laser exposure of nano-wires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Silicon nano-wires were fabricated using thin Silicon on Insulator (SOI) wafers and a combination of anisotropic wet etching by Tetra-Methyl Ammonium Hydroxide (TMAH) and Local Oxidation of Silicon (LOCOS). These nano-wires were submitted to laser exposure using gas immersion laser doping (GILD). The result was the formation of either periodic nano-structures or silicon balls. Since the process uses very short laser pulses, it involves rapid melting and solidification of silicon. Hence, the observed periodicity is ascribed to Rayleigh instability, which involves surface tension effects in melted silicon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issue 7, July 2005, Pages 629-633
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issue 7, July 2005, Pages 629-633
نویسندگان
K. Kakushima, T. Bourouina, T. Sarnet, G. Kerrien, D. Débarre, J. Boulmer, H. Fujita,