کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10411126 | 894548 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High performance InP/InGaAs/InP DHBTs with patterned sub-collector fabricated by elevated temperature N+ implant
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have demonstrated InP/InGaAs/InP MBE-grown DHBTs fabricated with patterned sub-collector by elevated temperature 200 °C N+ implant and subsequent device material over growth. Ft/Fmax > 250 GHz/300 GHz were obtained on DHBTs with 0.35 μm Ã 6 μm emitters from this process. Ring oscillators fabricated with this process showed good uniformity with 82% of yield on wafers and an average gate delay of 8 ps. Difference of surface morphology on re-grown DHBT layers over elevated temperature implanted and room temperature 22 °C implanted sub-collector was observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 6, June 2005, Pages 981-985
Journal: Solid-State Electronics - Volume 49, Issue 6, June 2005, Pages 981-985
نویسندگان
Mary Chen, Marko Sokolich, David Chow, Bin Shi, Rajesh Rajavel, Steven Bui, Yakov Royter, Steve III, Charles Fields,